Der Nanoskalige AFM-CD Standard (CD, critical dimension) enthält Strukturen, um Linienbreiten und Perioden von AFM (atomic force microscopy) Geräten zu kalibrieren.

Die Strukturen sind in Silizium geätzt. Es stehen hiermit eine Reihe von sehr glatten und scharfkantigen Liniengittern mit senkrechten Flanken zur Verfügung. Die kleinsten Linien haben ca. 50 nm Breite, 250 nm Tiefe und sind hochparallel mit Abweichungen kleiner als 10 nm.

Die Abmessung jedes Kalibrierchips beträgt 8×8 mm². Im Zentrum der Kalibrierchips, wo die zweistufigen Findestrukturen enden, sind 6 Gruppen von 5-linigen Gittern mit verschiedenen nominellen Breiten (50, 100, 150, 200, 300 und 800 nm) angeordnet.

Der Abstand zwischen den Linien beträgt ca. 1µm. Jede Gruppe hat eine nominelle Länge von 10 µm. Die Strukturen sind scharfkantig mit Kantenradien kleiner als 15 nm. Die Kantenrauigkeit ist kleiner als 5 nm (3σ).
 

Spezifikation
Substrat	Material:<110> Si Chipgröße: 8×8 mm² Oberflächengenauigkeit: <1 nm
Findestrukturen	Gräben im Si-Substrat Tiefe: 250 nm
Gittertypen	1-dimensional
Gittergröße	ca. 10×10 µm²
Linienbreiten (CD)	nominell: 50 nm, 100 nm, 150 nm, 200 nm, 300 nm, 800 nm Linienbreitenabweichung längs der Linie (innerhalb eines 1 µm langen Bereichs): <3 nm 1σ
Perioden	1 µm + CD-Wert Unsicherheit der Hauptperiode: 3 nm 1σ
Strukturtiefe	250 nm
Kantenradius	<15 nm
Kantenrauigkeit	<5 nm (p-p)
Flankenwinkel	89°
Zertifizierung	Linienbreiten(CD)- und Periodenkalibrierung durch die PTB Braunschweig auf Anfrage

Chip- und Strukturbeschreibung

REM-Bilder (Zeiss Supra 35 VP)